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中國半導體製造再進一步，縮短與台灣差距

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據最新統計的數據顯示，中國在全球半導體製造市場的份額比例進一步上升，其中作為中國最大半導體製造代工廠的中芯國際在全球前四大半導體製造廠中增速最快，與台灣的聯電進一步縮短了差距。

目前全球前四大代工廠分別是台積電、GF、聯電和中芯國際。

台積電憑藉著領先優勢正在進一步拉開差距，2016年其在半導體代工市場的份額進一步抬升到59%，老大地位無可動搖。

GF在經過幾年的停滯後，去年罕有的取得了10%的營收增長，因它從三星購買來14nmFinFET工藝，贏回了部分AMD的訂單，市場份額維持在11%。

第三位的聯電，前年錄得負增長，去年總算勉強取得3%的增長，不過由於其他三家代工廠的營收增速更快導致它的市場份額出現下滑，跌落到9%，位居第三位。

去年最值得驚訝的是中國大陸的中芯國際了，其營收錄得31%的增長，繼前年取得營收高速增長後去年的增速進一步提速，市場份額提升至6%，與聯電的營收差距進一步縮窄，這與中國市場的晶片設計企業迅速成長有很大關係，此外也與全球晶片霸主高通的大力支持有重要關係。

受中國反壟斷調查的壓力，高通在2015年選擇與中芯國際合作，幫助後者提升工藝製程，同時將部分晶片訂單交給後者。

在高通的幫助下，中芯國際的28nm工藝迅速在2015年量產，更在去年成功將工藝改進到28nmHKMG，與聯電處於同一水平。

聯電眼下14nmFinFET工藝進展緩慢，導致它未能在去年底成功量產，最終只能在廈門的12寸晶圓廠引入40nm工藝，台灣方面要求聯電和台積電必須在台灣投產領先在大陸建設的晶圓廠一代工藝。

中芯國際在先進的28nmHKMG開始投入生產後，大陸的晶片設計企業就無需再前往台灣，而這一市場自2014年中國推出的集成電路產業基金成立以來晶片設計企業開始日益興盛，憑藉著這種地利優勢它的營收於是取得了迅速的增長。

今年和明年中芯國際的最大挑戰就是其14nmFinFET工藝能否如期投產了。

台媒方面指聯電將在今年投產期14nmFinFET工藝，這樣其廈門工廠應該能在今年引入28nmHKMG工藝與中芯國際競爭，明年台積電的南京12寸晶圓廠投產預計會引入16nmFinFET工藝。

如果中芯國際不能在明年順利投產14nmFinFET工藝，這將給它帶來重大挑戰，不過早在2015年中它與高通、華為、IMEC等達成合作加快該工藝的研發，近期再獲得領導台積電16nmFinFET工藝研發的蔣尚義加盟，更傳可能攬得FinFET工藝研發的領先者梁孟松，梁孟松是台積電和三星FinFET工藝的重要功臣。

在中芯國際的營收迅速增長的同時，其也在加大研發投入，去年其資本開支提高到25億美元，這是它首次在該項支出上超過聯電，後者去年的資本支出為22億美元，這也有助於中芯國際加速其14nmFinFET工藝的研發，因此筆者認為中芯的14nmFinFET工藝明年如期量產的可能性很大。

半導體先進工藝對於一個國家的晶片產業極為重要，中國的華為海思、展訊已居於全球晶片設計企業前十，但是它們都曾台積電優先將先進工藝產能提供給高通、蘋果等體量更大的晶片設計企業，更不要談大陸其他體量更小的晶片設計企業了，其實也正是因為中芯國際取得的進步才迫使台積電和聯電進入大陸開設晶圓廠並引入更先進的工藝。

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