DRAM技術或迎大轉彎 三星、海力士擱置擴產項目

這幾年以來，國內巨頭都在花大力氣研發內存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。

就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導體領域的焦點。

日前，三星一反常態，放緩了存儲器半導體業務的擴張步伐。

據韓媒Kinews等報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。

同時，另一家半導體大廠SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中於NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規模補強與轉換投資。

如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬於意料之中的事。

根本原因不在三星、SK宣稱的市場因素，目前DRAM市場價格並不差，反倒是NAND的價格還在持續滑落中。

擴大價格低落的產品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時也不是媒體所猜測的國內DRAM產能陸續釋放，國內DRAM產能再大，也難以滿足全球龐大的市場需求。

因此，應該是技術層面的原因。

技術才是高科技產業的核心競爭力。

3D Flash目前技術在96層，但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為高科技產業的技術、產品還可長可久，投資於此，理所當然。

DRAM製程推進已很緩慢，目前的製程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。

即使可以，也是事倍功半的努力。

對於一個商業公司，最合理的是採取收割策略，少量投資，改善良率，並且利用韓國機器設備3年折舊的制度，在未來的DRAM市場持續保有價格優勢，獲得最大利益。

DRAM自然也不會從此就從市場上消失。

在CPU與NAND Flash的速度還存有巨大落差，這是目前存儲器體制(memory hierarchy)的現況。

所以合理的情境是已有新興存儲器(emergent memories)的技術已接近成熟，可以填補這個區位，所以兩家大廠才會停止DRAM的投資。

從目前各新興存儲器的技術進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。

況且這些技術也都可以3D堆疊，在價格上遲早能跟DRAM競爭。

綜上所述，技術層面的革新才是導致兩家大廠放緩新項目投資的主要原因。

換言之，DRAM技術也即將迎來以技術提升為主導的產業大轉彎。

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