中微半導體成唯一進入台積電 7nm 製程的大陸本土設備商
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集微網消息,因 10nm 製程遭遇前所未有的挑戰,故全球半導體產業紛紛將重要資源投入在 7nm 製程上,台積電、三星、GlobalFoundries、英特爾均已開始布局。
據台媒報導,目前台積電的 7nm 布局最積極,近期台積電更是轉變了 7nm 製程設備的採購策略,將應用材料( Applied Materials )、科林研發( LAM ) 、東京威力科創( TEL )、日立先端(
Hitach )、中微半導體 5 大設備商均納入採購名單,致力平衡 7nm 製程設備商生態價格。
值得注意的是,中微半導體是唯一進入台積電 7nm 製程蝕刻設備的大陸本土設備商。
據悉,中微與台積電在 28 nm 製程時便已開始合作,並一直延續到 10 nm 製程,以及現在的 7nm 製程。
未來,中微也將與台積電跨入下一世代 5nm 合作。
此外,中微也將與聯電展開 14 nm 工藝製程的合作。
為符合大陸半導體設備國產化的政策目標,2016年,有兩家大陸半導體設備商獲得國家集成電路產業基金(大基金)投資。
其中一家便是中微半導體,獲得 4.8 億元投資;另一家是上海微電子設備(SMEE)。
今年4月,中微半導體 CEO 尹志堯在公共場合表示,目前中微半導體在全球各地已經建置共計 582 台刻蝕反應台,並預期今年將增長至 770 台。
目前中微半導體產品已經進入第三代 10nm、7nm 工藝,並進入晶圓廠驗證生產階段,即將進入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工藝。
據尹志堯透露,過去幾年公司銷售維持 30-35% 增長率,預期 2017 年增長率將達到 80% 。
2017年,中微銷售將達 11 億元人民幣,在此基礎上,未來十年將持續開發新產品,擴大市場占有率,中微的目標是:2020 年 20 億元、2050 年 50 億元,並進入國際五強半導體設備公司。
目前,中微有 460 多個介質刻蝕反應台,並在海內外 27 條生產線上生產了約 4000 多萬片晶圓;同時,中微還開發了 12 英寸的電感型等離子體 ICP 刻蝕機;此外,中微還開發了 8 英寸和 12 英寸 TSV 矽通孔刻蝕設備,不僅占有約50%的國內市場,而且已進入台灣、新加坡、日本和歐洲市場,尤其在 MEMS 領域擁有意法半導體(ST)、博世半導體(BOSCH)
等國際大客戶。
在專利方面,中微共申請了超過800件相關專利,其中絕大部分是發明專利,目前有一半以上已獲授權。
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