中微半導體-中國半導體設備領軍企業

2020-09-28

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中國半導體設備領軍企業，核心設備進軍全球第一方陣

（中微半導體董事長演講紀要）

1、從電子管計算機到智慧型手機-工欲善其事，必先利其器

從1975年的128K毫米級電子管計算機（縮小100萬倍）到1985年的128K微米級集成電路元件（縮小一百萬倍）到2015年128G納米級集成電路元件。

半導體晶片前段微觀加工設備的創新和進步是實現這個萬億倍縮小的最關鍵的環節在於光刻機和等離子蝕刻機。

2、數碼時代高技術工業的四個基本層次-到2020年占GDP40%

晶片生產關鍵在於設備，設備市場在400億元。

國內市場可能到了80%。

如果把倒三角反過來講，我們有兩個想法。

能做出這樣的設備公司到底有多少呢？軟體領域，全球大概幾百萬家；電子系統領域，幾十萬家；晶片製造領域，幾百家；到了晶片設備就是幾十家。

工藝設備領先的也就3家，數量少，這是高度的壟斷。

研發進程上，晶片製造要超前電子系統3-5年開發新一代的產品，晶片設備要超前晶片製造3-5年開發新一代的產品。

這種設備投資中，光刻機投資占比15%，化學薄膜14%左右，但根據最近幾年發展來看，會增長到17%-20%左右。

3、從14納米到5納米器件加工，等離子體刻蝕步驟會增加三倍

Logic 器件	65納米	45納米	28納米	20納米	14納米	10納米	7納米	5納米
頭髮絲的直徑				1/3000	1/5000	1/7000	1/10000	1/14000
等離子蝕刻機	20	30	40	55步驟	65步驟	115步驟	140步驟	>160步驟
全工藝步驟				1000步驟	1100步驟	1400步驟	1500步驟	2000步驟

在20nm時，大概會有55步蝕刻；到了14nm不會增長很多，但是到了10nm的時候會增長到115步，到了7nm就是140步驟，到了5nm就是160-190步了。

由於光刻的波長限制，必須採用的多重模板工藝式等離子蝕刻成為最關鍵步驟，蝕刻次數急劇增長現在已經有了一種八重模板可以做到5nm。

薄膜的市場也在增長，刻蝕設備增長已經到了18%以上。

4、1980年到2020年晶片產業投資Capex和設備投資的歷史

我們可以來看一下，過去四十年，晶片製造前段各種設備投資中比例的變化。

經濟發展較為平穩，而電子工業的起伏較大，晶片行業的年增長率波動也較大，而設備行業的年銷售不到50%-70%。

在90年代到2000年，設備行業大起大落。

近幾年可以看到行業發展趨於平穩，因為隨著晶片進入工業民生國防的所有領域，晶片工業和半導體設備工業的變化和GDP增長較為一致。

5、2016年到2020年國內公司的投資是全球Capex的14%

2016年到2020年，儘管國內IC產業大發展，有巨大的設備市場，但相對於全球的半導體設備市場，也只有14%，中微目前是國內唯一的設備公司已較全面的進入了國際市場，我們必須在同時，極大的增進在國際設備市場的位置，使中微成為國際領先的設備公司。

我們來看一下，2016年到2020年國內公司的投資情況。

截至9月份，2017年，國外總投資是998億，其中設備投資就是778億美元。

可以看到，去年到今年，外國的公司在中國投資增長很多。

我們再來看一個數據，2016年到2020年，在中國Capex的數據，2016年在中國國內的總投資占全球14.4%，但是到了2020年，這個比例會到達41.5，當然這個能否實現，還看未來。

2016年到2020年，如果將國內及國外在中國的Capex總投資和全球總投資相比，會達到26.5%，2020年達到41.5%。

中國將在2019年超過韓國和台灣，成為全球及集成電路戰略投資最大的地方。

6、我國集成電路前端設備公司-線上是國際公司，線下是國內公司

下面我們來看我國集成電路前後端設備公司狀況，前段共有21家國內設備公司，其中有3個和後端重疊，國內有16個後端公司，總計前後端共有34個設備公司。

7、中微半導體設備公司發展近況

一方面，在最先進的晶圓廠中微刻蝕設備已核准了10到7納米的部分刻蝕應用，實現了小批量重複訂貨。

正在核准5納米刻蝕。

另一方面，中微28英寸第二代MOCVD設備，實現了國內藍光LED設備市場的大逆轉，全面取代了國外設備。

中微成員和中微有19項關鍵的蝕刻技術和設備的創新和突破，占了全行業32項技術的60%。

中微的第二代Primo A7 MOCVD設備，已經在國內全面取代了德國的Aixtron和美國的Veeco的設備，從去年地到今年八月份已獲得150多台訂單。

中微的CCP介質刻蝕設備已經全面進入國際領先的晶片生產線。

介質刻蝕已經占到40納米到28納米的國內Foundry市場的40%以上。

在最領先的Foundry已經有了232個反應台，生產了2500多萬片晶圓。

中微已經在10納米和7納米的研發線核准了幾道刻蝕應用，成為了標配設備；同時中微已經開始了5納米的器件刻蝕開發，會核准更多的蝕刻應用。

8、中微的MOCVD在2017年實現了國內藍光LED市場上的大逆轉

MOCVD的產品有著廣闊的不斷成長的市場，從照明領域的藍光LED到紅黃光LED/紫外光LED，再到功率領域的功率器件，再到顯示領域的Micro-LED，再到IC領域的單晶IC器件。

到2017年底，中微將有812個反應台在亞洲和歐洲的38條生產線合格生產了5000萬片晶圓。

中微等離子體刻蝕機和MOCVD在線設備的全球分布包括中國，日本，韓國，歐洲等。

進入的市場包括中國的以及MEMS最先進的德國博士和意法半導體。

相比美歐而言，中微MEMS刻蝕機的刻蝕結果好，合格率高，輸出量大，成本低。

9、中微半導體的年銷售額平均保持在30%的年增長率

近年來，公司銷售額年均複合增長率達到了30%，其中2017年的同比增長達到了80%。

公司計劃是要保30%的增長，2020年能夠做到18-20億的規模。

2017年公司銷售額將到達11億元以上，公司主要靠有機生長，同時通過謹慎的併購擴大公司的業務。

10、中微已獲得748項專利，還有409項正在申請，共有1157項專利

中微和5個國家地區的15個專利事務所合作，建立了嚴格的專利和智慧財產權管理制度。

公司已經獲得了748項專利，還有409項正在申請，共有1157項專利。

美國的商業部在2015年制訂了《確保美國在半導體產業的領導地位》，這個報告中，長篇的分析了中國的晶片設計，晶片製造，半導體設備，材料和封裝五個方面。

但只提到了一家中國公司，中國中微半導體。

11、中微的競爭對手是國際占壟斷地位僅有的三四家超大公司

經過40年的競爭，30多個工藝設備公司現集中到3-4家。

中微的競爭對手是國際占壟斷地位僅有的三四家超大公司。

第一家，美國應用材料，該企業年銷售額108億美元，年研發經費超過15億美元；第二家，東京電子，年銷售額72億美元，年研發經費超過7億美元；美國科林LAM，年銷售額58億美元，年研發經費超過9億美元。

12、高端裝備和核心裝置這個「大國重器」產業的三大特徵

講一下我對行業的看法：現在中國已經在規模上是製造大國，但不是製造強國。

高端裝備和核心裝置是「大國重器」，是我國成為製造強國的基礎。

高端裝備和核心裝置這個「大國重器」產業的三大特徵。

第一點就是開發時間長，一般需要5年到10年開發一代產品，長的要到20年，30年，甚至更長。

第二點，開發成本高，一般要幾億到十幾億人民幣，多的幾十億，甚至上百億。

第三點就是，現有的行業格局被國際兩三家企業壟斷，國際市場占比90%以上。

13、高端裝備產業的發展三大基本因素：資金、人才和政策

資金可分為股本金、低息貸款和項目資助三種形式；人才可以吸收國際人才、國內人才和行業內的領軍人物；政府可以從投融資政策、進出口政策、所得稅政策、勞動法政策、期權激勵制度、本土化政策和上市政策等給予引導。

我國的集成電路產業已經形成大發展的趨勢，但現在的形式是資本一頭大，人才和技術，政策的深化改革跟不上。

這個產業的「鼎」已經傾斜。

如果不能儘快的將推動產業發展的重點轉移到人才/團隊的培養和掌握核心技術，不能儘快的研究和實施政策升級，是不能實現有效的跨越式發展的。

對進一步發展集成電路設備產業策略的建議：

l加大在半導體設備和材料領域的投資，達到整個集成電路產業鏈投資的20%.(目前不到3%)。

l除股本金投資外，要有長期低息貸款，要繼續國家重大項目的資助。

l要鼓勵和推動產業鏈國產化，特別是制定設備和材料的國產化率指標。

到2020年應達到15%，到2025年達到33%，2030年應達到50%。

l企業加大研發投入。

並從開發樣機的階段，學習進入開發在生產線上可靠，好用，輸出量高和成本低的設備階段。

l企業要有管理人員和全體員工有效的激勵制度，特別是全員持股的激勵制度。