日前，在開發了全球首個7nm晶片後，IBM宣布取得技術突破，研發出了全球第一個5nm製程的晶片。

據悉，這主要得益於一項名為nanosheets的技術，在該技術的幫助下，晶片製造商可以將更多的電晶體容納到更小的晶片組裡。

IBM方面稱，此款5nm晶片集成了300億顆電晶體，是驍龍835的十倍，然而其尺寸僅僅只有指甲蓋大小。

隨著電晶體密度的增加，5nm晶片相對於10nm晶片可以實現在同樣水平的能耗下40%的性能提升，或是將能耗降低75%。

而使用5nm晶片的手機，其電池壽命也將提高2至3倍，續航能力暴增。

值得一提的是，雖然5nm晶片採用的是與7nm一樣的晶片蝕刻技術，但卻並沒有採用鰭式場效應電晶體（FinFET）設計，而FinFET最早出現在22納米和14納米晶片中，預計在7納米晶片中仍將繼續得到使用。

據了解，IBM此次使用了堆疊矽納米板，將電晶體更緻密地封裝在一起，納米板電晶體將通過4柵極去發射電子，更加先進。

5nm晶片的問世也意味著現有晶片工藝到達了極限。

任何一塊晶片都有著數以億計的電晶體，電晶體就類似一個可控的電子開關，由源極、漏極和位於他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用，從而產生數位訊號。

而目前的晶片都是矽製成的，由於本身材料的限制，5nm就成了現有半導體工藝的物理極限，要突破這個極限唯有使用其它材料代替。

近年來非常火爆的石墨烯便被認為是最有希望取得突破的材料，它具有很強的導電性，並且強度非常高，有研究指出，石墨烯技術可以使晶片的速率提升百萬倍。

但由於石墨烯目前的技術還不夠成熟，因此IBM與三星聯手研發出的5nm晶片已然成為矽晶片中的領軍者，這也讓半導體龍頭英特爾非常尷尬。

據悉，在英特爾推出的新一代處理器中，仍然採用14nm製程，而對手三星、台積電的晶片都已經成功跨進了10nm世代。

儘管，英特爾宣稱他的14nm要比競爭對手的10nm還要優秀，但不可否認的是，在製程技術上，英特爾確實已經開始落後。

據悉，5nm晶片將在2020年左右開始大規模量產，到那時，英特爾又是否還將固守他的14nm呢？

在中國，晶片似乎一直都是不能言說的「痛」。

在過去十年中，中國晶片進口的花費已經遠遠超過了10萬億元人民幣。

以手機晶片為例，目前，全球的主流手機廠商均與美國高通達成了合作協議，包括中國排名靠前的OPPO、華為、小米等都與其簽訂了3G/4G付費專利許可。

手機終端商如果使用高通手機晶片，除了要支付晶片購買費用外，還需向高通繳納專利使用費。

在台積電、三星等開始量產10nm晶片時，我國晶片製造工藝還處在28nm階段，中國晶片產業之路漫漫。

與其臨淵羨魚，不如退而結網，根據最新消息，國產14nm工藝將於明年開始量產，7nm、5nm也開始啟動研發。

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